Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Исследование р-n-перехода с глубокими уровнями
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Г. Г. Киракосян ; Г. А. Макарян ; А. В. Петросян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)
Խորագիր:
Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Կիրակոսյան Գ. Հ. ; Մակարյան Գ. Ա. ; Պետրոսյան Ա. Վ. ; Kirakossyan G. H. ; Makaryan G. A. ; Petrossyan A. V. ; глубокий уровень ; рекомбинация ; область пространственного заряда ; p-n-переход ; вольт-амперная характеристика
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Проведено исследование рекомбинационного тока через p-n-переход, обусловленного безызлучательным захватом носителей тока на глубокий уровень в области пространственного заряда (ОПЗ). Найдена полуэмпирическая формула, позволяющая определить параметры глубоких уровней в ОПЗ. Հետազոտված է p-n անցումում վերամիավորման հոսանքը, որը պայմանավորված է տարածական լիցքի տիրույթում (ՏԼՏ) խորը մակարդակի վրա հոսանքի լիցքակիրների չճառագայթող զավթումով: Գտնված է կիսափորձնական բանաձև, որը թույլ է տալիս որոշել խորը մակարդակների պարամետրերը ՏԼՏ-ում: The recombination current of the p-n–junction associated with the non-radiative capture of carriers to deep level in space charge region(SCR) is studied. A semiempirical formula permitting to determine parameters of deep levels in SCR is found.
Հրատարակության վայրը:
Երևան
Հրատարակիչ:
Ստեղծման ամսաթիվը:
Տեսակ:
Ձևաչափ:
Դասիչ:
Թվայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան