Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

1998

Հատոր:

51

Համար:

3

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Высокочастотные ИПД с экспоненциальным распределением примесей в пролетной области

Այլ վերնագիր:

Թռիչքային տիրույթում խառնուրդների բաշխման բնույթի ազդեցությունը ինժեկցիոն-թռիչքային դիոդների բարձր հաճախականային բնութագրերի վրա; Microwave BARITT Diode Characteristics with Exponential Doping Impurity

Ստեղծողը:

В. В. Буниатян ; Р. Р. Раганян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Խորագիր:

Technology

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Բունիաթյան Վ. Վ. ; Ռահանյան Ռ. Ռ. ; Buniatyan V. V. ; Raganyan R. R.

Ծածկույթ:

361-366

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

1998-12-20

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան