Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

1998

Volume:

51

Number:

3

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Title:

Высокочастотные ИПД с экспоненциальным распределением примесей в пролетной области

Other title:

Թռիչքային տիրույթում խառնուրդների բաշխման բնույթի ազդեցությունը ինժեկցիոն-թռիչքային դիոդների բարձր հաճախականային բնութագրերի վրա; Microwave BARITT Diode Characteristics with Exponential Doping Impurity

Creator:

В. В. Буниатян ; Р. Р. Раганян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Subject:

Technology

Uncontrolled Keywords:

Բունիաթյան Վ. Վ. ; Ռահանյան Ռ. Ռ. ; Buniatyan V. V. ; Raganyan R. R.

Coverage:

361-366

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

1998-12-20

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան