Դիտարկվել է սիլիցիումային հարթակների կառուցվածքային արատների` սև սիլիցիումի (b-Si) մերձմակերևութային շերտով հետերացման հնարավորությունը: Հետերացման արդյունավետությունը գնահատվել է թեստային և ստուգիչ հարթակների տեսակարար դիմադրության, արատների խտության և ոչ հիմնական լիցքակիրների արդյունարար կյանքի տևողության հետազոտման արդյունքներով: Ցույց է տրվել, որ ջերմային օքսիդացման ընթացքում b-Si-ի շերտը հանդես է գալիս որպես հավելյալ միջհանգուցային ատոմների և մետաղական խառնուրդների արդյունավետ կլանիչ (հետեր), դրանով իսկ էականորեն նվազեցնելով կառուցվածքային արատների սաղմերի խտությունը սիլիցիումում: Արդյունքում նվազում է հարթակների տեսակարար դիմադրությունը, և մեծանում է լիցքակիրների կյանքի տևողությունը: Նպատակահարմար է b-Si-ի շերտը որպես կլանիչ ձևավորել հարթակների թիկունքային` ոչ աշխատանքային կողմում:
Рассмотрена возможность геттерирования структурных дефектов кремниевых подложек с приповерхностным слоем черного кремния (b-Si). Эффективность геттерирования оценивалась по результатам исследования удельного сопротивления, плотности дефектов и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда на тестовых и контрольных подложках. Показано, что в процессе термического окисления слой b-Si служит эффективным стоком для избыточных межузельных атомов и металлических примесей, тем самым значительно уменьшая плотность зародышей структурных дефектов в кремнии. В результате снижается удельное сопротивление подложек и увеличивается время жизни носителей заряда. Целесообразно в качестве геттера слой b-Si формировать на обратной нерабочей стороне подложек.
The possibility of gettering structural defects of silicon substrates with a near-surface layer of black silicon (b-Si) is considered. The gettering efficiency was estimated according to the results of studying the resistivity, defect density, and effective minority carrier lifetime on test and control substrates. It is shown that in the thermal oxidation process, the b-Si layer serves as an effective drain for excess interstitial atoms and metallic impurities, thereby significantly reducing the density of nuclei of structural defects in silicon. As a result, the resistivity of the substrates decreases, and the carrier lifetime increases. It is advisable to form a b-Si layer as a getter on the rear non-working side of the substrates.

Երևան

pdf

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիվ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Վերնագիր:

Այլ վերնագիր:

Ստեղծողը:

Աջակից(ներ):

Խորագիր:

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Ծածկույթ:

Ամփոփում:

Հրատարակության վայրը:

Հրատարակիչ:

Տեսակ:

Ձևաչափ:

Դասիչ:

Թվայնացում:

Բնօրինակի գտնվելու վայրը: