Ереванский государственный университет ; Российско–Армянский университет, Ереван, Армения ; Институт биохимической физики им. Н. М. Эмануэля РАН, Москва, Россия ; Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Двумерные халькогениды переходных металлов являются многообещающими материалами для газовых сенсоров. В данной работе мы исследуем и сравниваем активность гексагональных (MX2-H), триклинных (MX2-T') и несте- хиометрических M2X3 (где M=Mo, W и X=S, Se) двумерных халькогенидов металлов в присутствии молекулы H2O2, с использованием методов первых принципов. Перенос заряда, энергии адсорбции, и функция локализации электронов были рассчитаны для различных адсорбционных структур. В результате было показано, что при адсорбции H2O2 в основном происходит физическая ад- сорбция. Самые низкие энергии адсорбции наблюдались в материалах MoS2-T', WSe2-T' и W2Se3, что свидетельствует о том, что они могут быть более эффективными в газочувствительных приложениях.
Two-dimensional transition metal chalcogenides are promising materials for gas sensors. In this paper, we investigate and compare the activity of hexagonal (MX2-H), triclinic (MX2-T'), and nonstoichiometric M2X3 (where M=Mo, W and X=S, Se) two-dimensional metal chalcogenides in the presence of an H2O2 molecule, using first principles methods. Charge transfer, adsorption energy, and electron localization function are calculated for various adsorption structures. As a result, it was shown that during the adsorption of H2O2, physical adsorption mainly occurs. The lowest adsorption energies were observed in MoS2-T', WSe2-T' and W2Se3 materials, indicating that they may be more efficient in gas sensing applications.

Հոդված

pdf

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար

АЖ 415