Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Լրացուցիչ տեղեկութիւն:
Վերնագիր:
Այլ վերնագիր:
Anti-Reflection Properties of Black Silicon Coated with Thin Films of Metal Oxides by Atomic Layer Deposition ; Ատոմաշերտային նստեցման մեթոդով մետաղական օքսիդների բարակ թաղանթներով պատված սև սիլիցիումի հակաանդրադարձնող հատկությունները
Ստեղծողը:
Айвазян, Г. Е. ; Катков, М. В. ; Лебедев, М. С. ; Шаяпов, В. Р. ; Афонин, М. Ю. ; Петухова, Д. Е. ; Юшина, И. В. ; Максимовский, Е. А. ; Агабекян, А. В.
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
Представлены результаты экспериментальных исследований антиотражающих свойств слоев черного кремния (b-Si), покрытых тонкими пленками оксидов металлов TiO2, HfO2 и Sc2O3 методом атомно-слоевого осаждения (АСО). Показано улучшение антиотражающих свойств b-Si в широком спектральном диапазоне. Исследованные АСО пленки целесообразно использовать в солнечных элементах в качестве эффективного пассивирующего покрытия поверхности b-Si. Ներկայացված են ատոմաշերտային նստեցման (Atomic Layer Deposition - ALD) մեթոդով TiO2, HfO2 և Sc2O3 մետաղների օքսիդների բարակ թաղանթներով պատված սև սիլիցիումի (b-Si) շերտերի հակաանդրադարձնող հատկությունների փորձարարական ուսումնասիրությունների արդյունքները: Ցույց է տրվել b-Si-ի հակաանդրադարձնող հատկությունների լավացումը սպեկտրային լայն տիրույթում: Հետազոտված ALD թաղաթները նպատակահարմար է կիրառել արևային էլեմենտներում որպես b-Si-ի մակերևույթի արդյունավետ մեկուսացնող ծածկույթ: The results of experimental studies of the anti-reflection properties of black silicon (bSi) layers coated with thin films of TiO2, HfO2, and Sc2O3 metal oxides by atomic layer deposition (ALD) are presented. An improvement in the antireflection properties of b-Si in a wide spectral range is shown. It is expedient to use the investigated ALO films in solar cells as an effective passivating coating of the b-Si surface.