Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Babajanyan A., Minasyan B., Movsisyan A., Friedman B., Lee K.
Title:
Other title:
Creator:
Бабаджанян, А. ; Минасян, Б. ; Мовсисян, А. ; Фридман, Б. ; Лии, К.
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Coverage:
Abstract:
В статье обсуждается работа пентаценового органического тонкопленочного транзистора (ОТТ), в котором подложка состоит из самоорганизующихся монослоев (СМ), образованного из октадецилтрихлорсилана (ОТС) на затворном изоляторе. При смене подложки с гидрофильной на гидрофобную дефекты межфазной границы сводятся к минимуму. ОТС СМ исследовался для двух образцов ОТС с плотностью 0.5% и 1.0% по массе в пересчете на раствор хлороформа. Для исследования роста и распределения ОТС-а был измерен угол контакта с водой. Органическая тонкопленочная топография и морфология измерены с помощью сканирующего электронного микроскопа и атомно-силового микроскопа. ОТТ с 0.5% ОТС имеет более высокую подвижность и коэффициент включения/выключения, чем ОТТ с 1.0% ОТС, но имеет повышенное пороговое напряжение. В то же время гистерезис при комнатной температуре практически исчез из-за обра-ботки СМ ОТС.
The performance of a pentacene organic thin film transistor (OTFT) is discussed here where the substrate consists of a self-assembled monolayer (SAM) formed from octadecyltrichlorosilane (OTS) on the gate insulator. By changing the substrate from hydrophilic to hydrophobic interface defects are minimized. OTS SAM was studied for two samples according to OTS density 0.5 w% and 1.0 wt.% based on chloroform solution. The water contact angle was measured to investigate OTS growth and distribution. AFM and SEM were measured to give organic thin film topography and morphology. The OTFT with 0.5 w% OTS has a higher mobility and on/off ratio than the OTFT with 1.0 w% OTS but has an increased threshold voltage. At the same time, the hysteresis at room temperature almost disappeared due to the OTS SAM processing.