Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2021

Հատոր:

14

Համար:

2

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Influence of the Lanthanum Doping on the Gas Sensing Properties of the Magnetron Sputtered ZnO films for H2O2 Vapor Detection

Ստեղծողը:

Aleksanyan, M. S.

Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University (YSU)

Խորագիր:

Physics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

zinc oxide ; conductometric sensor ; magnetron sputtering ; hydrogen peroxide vapor ; sensitivity

Ծածկույթ:

110-116

Ամփոփում:

This study presents the fabrication of a high-performance hydrogen peroxide vapor sensor based on ZnO film doped with different concentration of La using the high-frequency magnetron sputtering method. The responses (Rgas/Rair) of the fabricated sensors were measured at various operating temperature to different concentrations of hydrogen peroxide vapors. Gas sensing tests indicate that the maximum sensitivity was observed for 2 at.% La concentration in ZnO material and sensor exhibit high sensitivity to low concentration of hydrogen peroxide vapor. We expect that in the future, ZnO doped with 2 at.% La sensitive films will be able to be utilized in highly sensitive, real-time hydrogen peroxide vapor sensors.

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան