Journal or Publication Title:
Date of publication:
Volume:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Բաբայան Արմեն Վ., Бабаян Армен В.
Title:
BIST Architecture for Magnetic Memories
Other title:
Ներդրված թեստավորման ճարտարապետություն մագնիսական հիշողությունների համար ; Архитектура встроенного самотестирования для магнитных памятей
Creator:
Subject:
Mathematical cybernetics ; Computer science
Uncontrolled Keywords:
Memory BIST ; Memory testing ; Magnetic memory ; System on Chip
Coverage:
Abstract:
Magnetic random-access memory (MRAM) is one of the emerging memory technologies, which can be considered as the next universal memory because of its good parameters. Nevertheless, this type of memory is not guaranteed from defects and it is very important to understand the fault typology and develop a test solution that addresses these faults. In this paper a Built-in Self-Test (BIST) solution is presented, which is specifically tailored for MRAMs and efficiently deals with MRAM specific faults. Магнитная память с произвольным доступом (MRAM) - одна из новых современных технологий, которая благодаря своим хорошим параметрам может считаться следующей универсальной памятью.Тем не менее, этот тип памяти не гарантирован от дефектов, и очень важно понимать типологию неисправностей и разработать тестовое решение, которое устраняет ошибки вызванные неисправностями. В этой статье представлено решение встроенного самотестирования (BIST), которое, в частности, адаптировано для MRAM и эффективно устраняет его специфические неисправности. Մագնիսական կամայական ընտրությամբ հիշողությունը (MRAM) նոր ժամանակակից տեխնոլոգիաներից մեկն է, որն իր լավ պարամետրերի շնորհիվ կարող է դիտարկվել որպես հաջորդ համապիտանի հիշողություն: Այնուամենայնիվ, այս տիպի հիշողությունը պաշտպանված չէ անսարքություններից, և շատ կարևոր է հասկանալ այդ անսարքությունների դասակարգումը և մշակել թեստավորման համակարգ, որը դուրս կբերի դրանց հետևանքով առաջացող սխալները: Այս հոդվածում ներկայացված է ներդրված թեստավորման համակարգ (BIST) մագնիսական հիշողությունների համար, որը արդյունավետ կերպով հայտնաբերում է այդ տիպի հիշողություններին հատուկ անսարքությունները: