Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Title:
Немонотонная дисперсия носителей в размерно-квантованных наноструктурах с нарушенными симметриями
Other title:
Nonmonotonic Carrier Dispersion in Dimensionally Quantized Nanostructures with Broken Symmetries ; Լիցքակիրների ոչ մոնոտոն դիսպերսիան խախտված համաչափություններով չափային-քվանտացված նանոկառուցվածքներում
Creator:
Никогосян, Г. С. ; Арутюнян, Л. С. ; Манукян, В. Ф. ; Никогосян, Г. Г.
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Coverage:
Abstract:
Рассматриваются особенности энергетического спектра и движения носителей в одномерных асимметричных полупроводниковых наносистемах. Асимметричные структуры с дополнительным провалом потенциального профиля в квантовых ямах позволяют варьировать положениями квантоворазмерных уровней. А дополнительное влияние внешнего магнитного поля приводит к немонотонной дисперсии и поперечному локальному дрейфу носителей. Такие нарушения фундаментальных симметрии вовлекут за собой соответствующие изменения и в характере электронных переходов. Проводится анализ динамических свойств электронной системы наноструктуры с асимметрией квантового профиля, в зависимости от напряженности внешнего магнитного поля. Դիտարկվում են լիցքակիրների շարժման և էներգիական սպեկտրի առանձնահատկությունները միաչափ անհամաչափ նանոհամակարգերում։ Քվանտային հորերում լրացուցիչ անկմամբ պոտենցիալային պրոֆիլով անհամաչափ կառուց վածքները հնարավորություն են ընձեռում փոփոխել չափային-քվանտացված մակարդակների դիրքերը։ Իսկ արտաքին մագնիսական դաշտի լրացուցիչ ներգործությունը հանգեցնում է ոչ մոնոտոն դիսպերսիայի և լիցքակիրների տեղային լայնական դրեյֆի։ Հիմնարար համաչափությունների նման խախտումները բերում են համապատասխան փոփոխությունների նաև էլեկտրոնային անցումների բնույթի մեջ։ Կատարվում է անհամաչափ քվանտային պրոֆիլով նանոկառուցվածքի էլեկտրոնային համակարգի դինամիկական հատկությունների վերլուծություն՝ կախված արտաքին մագնիսական դաշտի լարվածությունից։ The features of the energy spectrum and carrier motion in one-dimensional asymmetric semiconductor nanosystems are considered. Asymmetric structures with an additional dip in the potential profile in quantum wells make it possible to vary the positions of size-quantized levels. And the additional influence of an external magnetic field leads to non-monotonic dispersion and a transverse local carrier drift. Such violations of fundamental symmetries will entail corresponding changes in the nature of electronic transitions. The dynamic properties of the electronic system of the nanostructure with the asymmetry of the quantum profile are analyzed, depending on the strength of the external magnetic field