Օբյեկտ

Վերնագիր: Compact Transcapacitance Model for Short-Channel DG FinFETs

Ստեղծողը:

A. Yesayan

Տեսակ:

Article

Համատեղ հեղինակները:

Institute of Radiophysics and Electronics of NAS RA, Armenia

Ծածկույթ:

269-272

Ամփոփում:

A compact capacitance model is developed accounting for small-geometry effects in FinFETs. While decreasing the channel length, the transcapacitance model becomes very sensitive to all short channel effects, both in moderate and strong inversion regimes. In addition, for short channel devices, we need to take into account the inter-electrode capacitive coupling in the subthreshold regime, which is not significant for long channel devices. The quantum mechanical effects, which are very significant for thin Fins, are included in the model. The effect of mobility degradation on C-V characteristics is also demonstrated. The model was validated with numerical 3D Atlas simulations and a good accuracy of the model has been demonstrated in all operating regimes.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2018-12-28

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23523

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2018

Հատոր:

11

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Sep 2, 2020

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

0

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26291

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Compact Transcapacitance Model for Short-Channel DG FinFETs Sep 2, 2020

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն