Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2017

Հատոր:

10

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

The isotherm of hybridization for the DNA field-effect transistor in presence of monovalent charged ligands

Ստեղծողը:

A. Hakobyan

Համատեղ հեղինակները:

Institute of Radiophysics and Electronics of NAS RA

Խորագիր:

Physics ; Atomic and molecular physics ; Materials science

Ծածկույթ:

206-211

Ամփոփում:

Motivated by the prospects of developing DNA field-effect transistors, as tools for a variety of application fields, such as medical diagnostics, environmental pollutants monitoring, biological weapons defense, and taking into account that the efficiency of DNA – sensors depends on the precise prediction of experimental parameters responsible for thermostability of nucleic acids duplexes and specific times of formation of DNA duplexes, we analyze the factors influencing both the thermodynamics of hybridization and the stability of DNA-DNA and DNA-RNA duplexes. We analyze the case of competition-free DNA hybridization, showing how the intercalating charged and charge-free ligands effectively increase the binding constant for the target sequences and thus affects the sensitivity of the DNA chip. The monovalent charged ligands increase sensitivity of DNA sensors in comparison with charge-free ligands.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2017-12-27

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան