Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
I-V Characteristics of Pt-Ba0.25Sr0.75 TiO3-Pt Thin Films with Oxygen Vacancies
Ստեղծողը:
V. V. Buniatyan ; G. S. Melikyan ; R. K. Hovsepyan ; A. V. Papoyan
Խորագիր:
Physics ; Electronic structure and electrical properties of surfaces ; Materials science
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
A new model for calculation of leakage/injection current in ferroelectric perovskite (BST, PZT) metal-ferroelectric-metal structure thin film is considered under the assumption that: a) a high concentration of oxygen vacancies is presence in the interfaced region of metal-ferroelectric contacts, which creates corresponding electron trap levels in the band gap of ferroelectric, and b) the dielectric permittivity of ferroelectric materials have nonlinear dependence on applied electric field. The results of proposed model are compared with the experiment and a good agreement was received.