Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիվ:

2014

Հատոր:

7

Համար:

3

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

CHARGE CARRIER’S DISTRIBUTION IN THE INVERSION CHANNEL OF NANOSIZED FETS

Ստեղծողը:

F. V. Gasparyan

Համատեղ հեղինակները:

Yerevan State University (YSU)

Խորագիր:

Physics ; Electronic structure and electrical properties of surfaces ; Materials science ; Electronic and magnetic devices; microelectronics

Ծածկույթ:

136-146

Ամփոփում:

The charge carrier’s distribution in the inversion layer of the nanowire based field-effect transistor is analyzed using classical and quantum-mechanical evaluation of carrier distribution. It is shown that size quantization essentially changes carrier transport through the channel.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2014-07-15

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան