Օբյեկտ

Վերնագիր: BaxSr1-x TiO3/pc-Si HETEROJUNCTION CAPACITANCE

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2013

Հատոր:

6

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Համատեղ հեղինակները:

State Engineering University of Armenia (SEUA), Yerevan, Armenia ; FH Aachen University of Applied Sciences, Institute of Nano- and Biotechnologies, Campus Jülich, Germany ; Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics, Yerevan State University

Ծածկույթ:

188-197

Ամփոփում:

An-amorphous BaxSr1-x TiO3/ polycrystalline (pc) silicon anis-type heterojunction capacitance was evaluated theoretically and studied experimentally, taking into account the presence of oxygen vacancies in ferroelectric film as well as non-linear dependence of the ferroelectric films dielectric permittivity on the electric field for different values of oxygen vacancies concentration and doping levels in silicon.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2013-11-18

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23362

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 19, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

1

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26100

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
BaxSr1-x TiO3/pc-Si HETEROJUNCTION CAPACITANCE May 19, 2021

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն