Օբյեկտ

Վերնագիր: NUCLEATION MECHANISM OF STRAIN-INDUCED INASSBP QUANTUM DOTS AND PITS AT LIQUID PHASE EPITAXY ON InAs (100) SUBSTRATE

Ծածկույթ:

268-273

Ամփոփում:

Application of the InAsSbP and other similar quaternary materials open up interesting physical and technological prospects for the controlled growth of QDs, QPs and dots–pits cooperative systems. At the growth of lattice matched with the substrate heterolayers from the quaternary liquid phase, corresponding variation of the third and fourth components allows providing needed sign of the misfit, i.e. to provide tensile or compressive misfit stress.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2009

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23246

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2009

Հատոր:

2

Համար:

4

ISSN:

1829-1171

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Jan 25, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

0

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/25958

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն