Ցոյց տուր կառուցուածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Established in 2008

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրապարակման ամսաթիւ:

2008

Հատոր:

1

Համար:

3

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

SHAPE TRANSITION OF STRAIN-INDUCED InAsSbP ISLANDS AT LIQUID-PHASE EPITAXY ON InAs (100) SUBSTRATE: FROM PYRAMID TO SEMIGLOBE

Ստեղծողը:

Karen Gambaryan ; Vladimir Aroutiounian ; Arpine Simonian ; Torsten Boeck

Խորագիր:

Physics ; Materials science

Ծածկոյթ:

208-218

Ամփոփում:

The Liquid Phase Epitaxy (LPE) technique is used for self-assembled InAsSbP-based strain-induced islands formation on InAs(100) substrates. Here we show that such islands, as they decrease in size, are undergoing a shape transition. As the islands volume decrease, the following succession of shape transitions has been detected: truncated pyramid, {111} facetted pyramid, {111} and partially {105} facetted pyramid, completely unfacetted “pre-pyramid”, which gradually evolve to semiglob. The morphology, size, shape and composition of these objects are investigated by scanning electron microscope (SEM) and Energy Dispersive X-Ray Analysis (EDXA) technique. A critical size (~550 nm) of the InAsSbP-based strain-induced islands shape transformation from “pre-pyramid” to semiglobe is experimentally detected and, in addition, theoretically explained and calculated. Proposed theoretical approach has been also employed and tested for Si1xGex model system islands grown on a Si(001) substrate. It is shown that for both materials the theoretically calculated values of the critical size coincide with the experimentally obtained data.

Բովանդակութիւն:


Հրատարակութեան վայրը:


Թուայնացման հովանաւորը:


Ստեղծման ամսաթիւը:

2008-12-10

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան