Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես
A new model of short-channel SiC MOSFET’s threshold-voltage simulation is presented. The model is based on detailed analysis of the charge conservation law in the region bounded by the gate electrode and the semiconductor bulk.
oai:arar.sci.am:23196
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Dec 13, 2023
Feb 27, 2020
19
https://arar.sci.am/publication/25898
Հրատարակության անուն | Ամսաթիվ |
---|---|
THRESHOLD VOLTAGE MODEL OF SiC SHORT CHANNEL MOSFET’s WITH DEEP IMPURITY LEVELS AND TRAPS | Dec 13, 2023 |
S. K. Nikoghosyan V. V. Harutunyan V. S. Baghdasaryan E. A. Mughnetsyan E. G. Zargaryan A. G. Sarkisyan
A. L. Harutyunyan
M. Mkrtchyan T. I. Butaeva A. Eganyan K. Ovanesyan
A. H. Melikyan H. R. Minassian V. A. Paployan