THRESHOLD VOLTAGE MODEL OF SiC SHORT CHANNEL MOSFET’s WITH DEEP IMPURITY LEVELS AND TRAPS

V. V. Buniatyan; V. M. Hayrapetyan

Ներբեռնել

Վերնագիր: THRESHOLD VOLTAGE MODEL OF SiC SHORT CHANNEL MOSFET’s WITH DEEP IMPURITY LEVELS AND TRAPS

Հատոր:

Համար:

ISSN:

1829-1171

Պաշտոնական URL:

Ծածկույթ:

174-177

Ամփոփում:

A new model of short-channel SiC MOSFET’s threshold-voltage simulation is presented. The model is based on detailed analysis of the charge conservation law in the region bounded by the gate electrode and the semiconductor bulk.

Բովանդակություն:

Հրատարակության վայրը:

Թվայնացման հովանավորը:

Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-08-28

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23196

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Electronic transport in condensed matter

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Digital Library > Հոդվածներ

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/25898

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Armenian Journal of Physics=Ֆիզիկայի հայկական հանդես

Հրատարակության անուն	Ամսաթիվ
THRESHOLD VOLTAGE MODEL OF SiC SHORT CHANNEL MOSFET’s WITH DEEP IMPURITY LEVELS AND TRAPS	Dec 13, 2023

Օբյեկտ

Վերնագիր: THRESHOLD VOLTAGE MODEL OF SiC SHORT CHANNEL MOSFET’s WITH DEEP IMPURITY LEVELS AND TRAPS

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիվ: