Влияние отжига на вольтамперные характеристики структуры Ag/GaZnO/FTO

Աղամալյան Ն. Ր., Պապիկյան Ա. Կ., Հովսեպյան Ռ. Կ., Պետրոսյան Ս. Ի., Բադալյան Գ. Ր., Գամբարյան Ի. Ա., Կաֆադարյան Ե․ Ա., Aghamalyan N. R., Papikyan A. K., Hovsepyan R. K., Petrosyan S. I., Badalyan G. R., Gambaryan I. A., Kafadaryan Y. A.

Շիկամշակման ազդեցությունը Ag/GaZnO/FTO կառուցվածքի վոլտ–ամպերային բնութագրի վրա ; Effect of Annealing on theCurrent–Voltage Characteristics of the Ag/GaZnO/FTO Structure

Агамалян, Н. Р. ; Папикян, А. К. ; Овсепян, Р. К. ; Петросян, С. И. ; Бадалян, Г. Р. ; Гамбарян, И. А. ; Кафадарян, Е. А.

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ֆիզիկա ; Ռադիոֆիզիկա ; Էլեկտրոնիկա ; Օպտիկա ; Քվանտային էլեկտրոնիկա ; Նանոֆիզիկա ; Ազդակների ֆիզիկա ; Գերհաղորդականություն

53-62

Էլեկտրոնային ճառագայթային գոլորշիացման մեթոդի օգնությամբ ստացվել են լեգիրված ցինկի օքսիդի գալիումով լեգիրված (1.6 ատ%, GZO) հաղորդիչ թաղանթներ։ Որպես վերին և ստորին էլէկտրոդներ օգտագործվում են համապատասխանաբար արծաթե և ապակյա տակդիր, որոնք պատված են ֆտորով լեգիրված անագի օքսիդով (FTO)։ Թաղանթները շիկամշակվել են 350°С ջերմաստիճանում՝ օդի մթնոլորդում 1 ժամվա ընթացքում. Ag/GZO/FTO կառուցվածքի վոլտ-ամպերային բնութագիրը (ՎԱԲ) ցուցաբերում են գծային կախվածություն. Ամբողջ Ag/GZO/FTO կառուցվածքի շիկամշակումը նույն պայմաններում հանգեցնում է ՎԱԲ վարքագծի փոփոխությանը Օհմայինից դիոդայինի Շոտկի արգելքով։ Թերմոէլեկտրոնային արտանետումների տեսության միջոցով Չոնգի և Նորդի մեթոդներով վերլուծվել են ՎԱԲ ուղղակի շեղումը և որոշվել են իդեալականության գործակիցը, Շոտկիի արգելքի բարձրությունը և հաջորդական դիմադրությունը։ Using the method of electron beam evaporation, conductive films of gallium doped (1.6 at%) zinc oxide (GZO) were obtained. As the upper and lower electrodes, silver and glass substrates coated with tin oxide doped with fluorine (FTO) were used, respectively. The films were annealed at 350°C in air for 1 hour. The current–voltage (I–V) characteristics of the Ag/GZO/FTO structure revealed linear behavior. Annealing the entire structure of Ag/GZO/FTO under the same conditions leads to a change in the behavior of the I–V characteristic from ohmic to diode with a Schottky barrier. Using the theory of thermionic emission, the methods of Cheung and Norde, the I–V characteristics of forward bias are analyzed and the values of ideality factor, Schottky barrier height, and series resistance are determined.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան