Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Other title:
Creator:
В. А. Арутюнян ; М. А. Мкртчян ; Э. М. Казарян ; Д. Б. Айрапетян
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Radiophysics
Uncontrolled Keywords:
Հարությունյան Վ. Ա. ; Մկրտչյան Մ. Ա. ; Ղազարյան Է. Մ. ; Հայրապետյան Դ. Բ. ; Harutyunyan V. A. ; Mkrtchyan M. A. ; Kazaryan E. M. ; Hayrapetyan D. B.
Coverage:
Abstract:
В приближении изотропной эффективной массы и в режиме сильного размерного квантования теоретически рассмотрены одночастичные состояния носителей заряда в наносферической гетероструктуре InP/InAs/InP. Приведены результаты численных расчетов энергетических уровней носителей заряда при различной толщине квантующего слоя InAs указанной гетерофазной структуры. Показано, что соответствующим выбором толщины слоя возможно добиться желаемого значения и положения уровней размерного квантования носителей заряда в слое. Рассмотрены также межзонные оптические переходы в слое InAs. Իզոտրոպ արդյունարար զանգվածի մոտավորության շրջանակներում և ուժեղ չափային քվանտացման ռեժիմում տեսականորեն դիտարվել են լիցքակիրների մեկմասնիկային նվիճակները նանոգնդային InP/InAs/InP հետերոկառուցվածքում: Բերվել են քվանտացնող InAs շերտի հետերոկառուցվածքային համակարգի տարբեր հաստությունների համար լիցքակիրների էներգիական մակարդակների թվային հաշվարկները: Ցույց է տրվել, որ շերտի համապատասխան հաստության ընտրությամբ կարելի է ստանալ շերտում գտնվող լիցքակրի էներգիական մակարդակի ցանկալի արժեքը և դիրքը: Դիտարկվել են նաև միջգոտիական օպտիկական անցումները InAs շերտում: Հաշվարկվել են InAs շերտի արգելված գոտու արդյունարար լայնացման արժեքը՝ կախված շերտի հաստությունից: Single-particle states of charge carriers in a nanospherical InP/InAs/InP heterostructure are theoretically considered in the isotropic effective mass approximation and in the regime of strong size quantization. Results of numerical calculations of the energy levels of charge carriers at different thicknesses of the quantizing InAs layer of the indicated heterophase structure are presented. It is shown that it is possible to achieve the desired value and position of the size quantization levels of charge carriers in the layer by appropriate choice of the layer thickness. Interband optical transitions in the InAs layer are also considered. Values of the effective broadening of the band gap of the InAs layer as a function of the layer thickness are calculated.