Получение и исследование свойств гетероструктуры W/CeB6/W для чувствительного элемента однофотонного термоэлектрического детектора

Միաֆոտոն ջերմաէլեկտրիկ դետեկտորի զգայուն տարրի համար W/CeB6/W հետերոկառուցվածքի ստացումը և հատկությունների ուսումնասիրումը; Preparation and Investigation of Properties of W/CeB6/W Heterostructure for Sensitive Element of a Single-Photon Thermoelectric Detector

С. И. Петросян ; А. А. Кузанян ; Г. Р. Бадалян ; А. С. Кузанян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Radiation physics

Պետրոսյան Ս. Ի. ; Կուզանյան Ա. Ա. ; Բադալյան Գ. Ռ. ; Կուզանյան Ա. Ս. ; Petrosyan S. I. ; Kuzanyan A. A. ; Badalyan G. R. ; Kuzanyan A. S.

208-218

The possibility of preparation W/CeB6/W heterostructures on Al2O3, AlN, Si, and W substrates by e-beam evaporation was investigated. Preparation conditions W thin films on dielectric substrates and CeB6 films as well as CeB6 films on dielectric and W substrates or W films are determined. Reflection spectra of W films, results of X-ray diffractometry, X-ray microanalysis and electron microscopy of W and CeB6 films are presented. W/CeB6/W heterostructures with various configurations and sizes are created. It has been shown by computer simulation that a detector with a W/CeB6/W heterostructure can provide a signal at the level of microvolts and a terahertz count rate when detecting 6–50 eV energy photons. The obtained results serve as a basis for creating a prototype of a detection pixel of thermoelectric single-photon detector.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան