В приближении изотропной эффективной массы рассмотрены одночастичные состояния носителей заряда в слоистой гетероструктуре CdS/HgS/CdS. Показано, что в условиях, когда в слое HgS реализуется режим сильного квантования, в этом слое с наибольшей вероятностью имеет место пространственная локализация носителей. Рассчитаны энергия и огибающие волновые функции электронных и дырочных состояний в рассматриваемой структуре. Рассчитано межзонное оптическое поглощение для случаев, когда система представляет собой слоистую цилиндрическую квантовую точку и когда имеет место свободное движение носителей заряда вдоль оси симметрии. Для этих же случаев рассмотрен также спектр фотолюминесценции. In approximation of isotropic effective mass, the one-particle states of charge carriers in the layered CdS/HgS/CdS heterostructure are considered. It is shown that under conditions in which the strong-quantization regime is realized in the HgS layer, in this layer the spatial localization of charge carriers have high probability. The energy spectrum and envelope wave functions of the electron and hole states are calculated in considered structure. The interband optical absorption are calculated when the system is a cylindrical layered quantum dot and when there is a free motion of the charge carriers along the symmetry axis. The photoluminescence spectrum is also considered for the same cases.

pdf

АЖ 415

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Այլ վերնագիր:

Ստեղծողը:

Աջակից(ներ):

Խորագիր:

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Ծածկոյթ:

Ամփոփում:

Հրատարակիչ:

Ստեղծման ամսաթիւը:

Տեսակ:

Ձեւաչափ:

Դասիչ:

Բնօրինակին գտնուելու վայրը: