Ցոյց տուր կառուցուածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2017

Հատոր:

52

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Исследование процессов распространения тепла в чувствительной ячейке W/FeSb2/W однофотонного термоэлектрического детектора

Այլ վերնագիր:

Միաֆոտոն ջերմաէլետրիկ դետեկտորի W/FeSb2/W զգայուն տարրում ջերմության տարածման պրոցեսների ուսումնասիրություն; Investigation of Processes of Heat Propagation in W/FeSb2/W Detection Pixel of Single Photon Thermoelectric Detector

Ստեղծողը:

А. А. Кузанян ; В. Р. Никогосян ; А. С. Кузанян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Thermodynamics

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Կուզանյան Ա. Ա. ; Նիկողոսյան Վ. Ռ. ; Կուզանյան Ա. Ս. ; Kuzanyan A. A. ; Nikoghosyan V. R. ; Kuzanyan A. S.

Ծածկոյթ:

341-352

Ամփոփում:

Представлены результаты компьютерного моделирования процессов распространения тепла в однослойной чувствительной ячейке однофотонного термоэлектрического детектора после поглощения фотона с энергией 1–1000 эВ. Ներկայացված են ջերմաէլեկտրիկ միաֆոտոն դետեկտորի զգայուն տարրում 1 –1000 էՎ էներգիայով ֆոտոնի կլանումից հետո ջերմության տարածման պրոցեսների համակարգչային մոդելավորման արդյունքները։ Դիտարկված են վոլֆրամի կլանիչի և FeSb2 խիստ կորելացված կիսահաղորդիչով ջերմաէլեկտրիկ տվիչի տարբեր երկրաչափություններ։ Մանրամասն ուսունասիրված են զգայուն տարրի տարբեր չափերով մասերի դեպքում ֆոտոնի կլանումից հետո տվիչի վրա գեներացված ազդանշանի ժամանակային կախվածության տարբերությունները։ The results of computer modeling of the processes of heat propagation in single layer detection pixel of thermoelectric single photon detector after the absorption of photon with 1– 1000 eV energy are presented. Different geometries of the detection pixel consisting of tungsten absorber and thermoelectric sensor from a strongly correlated semiconductor FeSb2 are considered. The differences of temporal dependence of the signal appearing on the sensor for various sizes of the sensitive pixel elements are studied in detail.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2017-05-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան