Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2014

Հատոր:

49

Համար:

5

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Определение концентраций доноров и акцепторов в многодолинных полупроводниках

Այլ վերնագիր:

Դոնորների և ակցեպտորների կոնցենտրացիաների որոշումը բազմահովիտ կիսահաղորդիչներում; Determination of concentrations of donors and acceptors in many-valley semiconductors

Ստեղծողը:

А. И. Ваганян ; Е. М. Багиян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Վահանյան Ա. Ը. ; Բաղիյան Ե. Մ. ; Vahanyan A. I. ; Baghiyan Y. M.

Ծածկույթ:

339-341

Ամփոփում:

Показана возможность определения раздельных концентраций доноров и акцепторов в многодолинных полупроводниках на основе температурной зависимости обшей концентрации носителей заряда. Ցույց է տրված բազմահովիտ կիսահաղորդիչներում դոնորների և ակցեպտորների կոնցենտրացիաների որոշման սկզբունքային հնարավորությունը: A possibility of determination of uncooperative concentrations of donors and acceptors in many-valley semiconductors is shown on the basis of temperature dependence of total charge carriers’ concentrations.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2014-09-16

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան