Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2014

Volume:

49

Number:

5

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Title:

Определение концентраций доноров и акцепторов в многодолинных полупроводниках

Other title:

Դոնորների և ակցեպտորների կոնցենտրացիաների որոշումը բազմահովիտ կիսահաղորդիչներում; Determination of concentrations of donors and acceptors in many-valley semiconductors

Creator:

А. И. Ваганян ; Е. М. Багиян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors

Uncontrolled Keywords:

Վահանյան Ա. Ը. ; Բաղիյան Ե. Մ. ; Vahanyan A. I. ; Baghiyan Y. M.

Coverage:

339-341

Abstract:

Показана возможность определения раздельных концентраций доноров и акцепторов в многодолинных полупроводниках на основе температурной зависимости обшей концентрации носителей заряда. Ցույց է տրված բազմահովիտ կիսահաղորդիչներում դոնորների և ակցեպտորների կոնցենտրացիաների որոշման սկզբունքային հնարավորությունը: A possibility of determination of uncooperative concentrations of donors and acceptors in many-valley semiconductors is shown on the basis of temperature dependence of total charge carriers’ concentrations.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2014-09-16

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան