Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Влияние параметров анодирования пористого кремния на его чувствительность к глюкозе
Other title:
Influence of anodization parameters of porous silicon on its glucose sensitivity
Creator:
Г. А. Меликджанян ; Х. С. Мартиросян
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Radiophysics
Uncontrolled Keywords:
Melikjanyan G. A. ; Martirosyan Kh. S.
Coverage:
Abstract:
Исследовано влияние параметров анодирования пористого кремния на чувствительность к глюкозе путем измерения вольт-амперных характеристик и сопротивлений образцов. Показано, что чувствительность резко увеличивается (до 5.5 раза) с увеличением плотности тока анодирования. Influence of the anodization parameters of porous silicon on its glucose sensitivity was investigated by measuring the current-voltage characteristics and resistance of samples. It is shown that the sensitivity increases sharply up to 5.5 times with increase in the anodization current density.