Vis-NIR характеристики пленок аморфного германия и электрические свойства гетероструктуры a-Ge/p-Si, полученных методом лазерно-импульсного осаждения

Լազերա-իմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով ստացված ամորֆ գերմանիումի թաղանթների Vis-NIR բնութագրերը և a-Ge/p-Si հետերակառուցվածքի էլեկտրական հատկությունները; Vis-NIR characteristics of amorphous germanium films and electrical properties of a-Ge/p-Si heterostructure obtained by pulsed-laser deposition method

К. Э. Авджян ; Л. А. Матевосян ; А. Ю. Мкртчян ; А. М. Хачатрян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Electricity and magnetism

Ավջյան Կ. Է. ; Մաթևոսյան Լ. Ա. ; Մկրտչյան Ա. Յու. ; Խաչատրյան Ա. Մ. ; Avjyan K. E. ; Matevosyan L. A. ; Mkrtchyan A. Yu. ; Khachatryan A. M.

207-214

Исследованы оптические свойства пленок аморфного германия a-Ge (подложка –стекло) и электрические свойства гетероструктуры a-Ge/p-Si, полученных методом лазерно-импульсного осаждения․ Ուսումնասիրված են լազերա-իմպուլսային փոշենստեցման մեթոդով ստացված a-Ge թաղանթների (հարթակը ապակի) օպտիկական և a-Ge/p-Si հետերոկառուցվածքի էլեկտրական հատկությունները: Ցույց է տրված, որ a-Ge թաղանթների օպտիկական հատկությունները լավ բացատրվում են Տաուցի՝ ամորֆ կիսահաղորդիչների մոդելով:Optical properties of a-Ge films (glass substrate) and electrical properties of the a-Ge/p-Si heterostructure obtained by the pulsed-laser deposition method have been studied.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան