Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2012

Հատոր:

47

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Моделирование поглощения свободными носителями в кремнии

Այլ վերնագիր:

Modeling free carrier absorption in silicon

Ստեղծողը:

Р. Р. Варданян ; В. К. Даллакян ; У. Керст ; К. Бойт

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Optics; Light

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Vardanyan R. R. ; Dallakyan V. K. ; Kerst U. ; Boit C.

Ծածկույթ:

111-120

Ամփոփում:

Проанализированы различные эмпирические модели поглощения света свободными носителями заряда в кремнии в инфракрасном и ближнем инфракрасном диапазонах. Разработана усовершенствованная модель поглощения свободными носителями в кремнии. Different empirical models of light absorption in silicon by free charge carriers in near infrared and infrared regions are analyzed. An improved empirical model for free carrier absorption in silicon is developed.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2012-03-25

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան