Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Моделирование поглощения свободными носителями в кремнии
Other title:
Modeling free carrier absorption in silicon
Creator:
Р. Р. Варданян ; В. К. Даллакян ; У. Керст ; К. Бойт
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Optics; Light
Uncontrolled Keywords:
Vardanyan R. R. ; Dallakyan V. K. ; Kerst U. ; Boit C.
Coverage:
Abstract:
Проанализированы различные эмпирические модели поглощения света свободными носителями заряда в кремнии в инфракрасном и ближнем инфракрасном диапазонах. Разработана усовершенствованная модель поглощения свободными носителями в кремнии. Different empirical models of light absorption in silicon by free charge carriers in near infrared and infrared regions are analyzed. An improved empirical model for free carrier absorption in silicon is developed.