Ցոյց տուր կառուցուածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2011

Հատոր:

46

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Сенсорные свойства структур со слоем пористого кремния

Այլ վերնագիր:

Ծակոտկեն սիլիցիումի թաղանթով կառուցվածքների սենսորային հատկությունները; Sensor properties of structures with porous silicon layer

Ստեղծողը:

З. О. Мхитарян ; В. М. Арутюнян ; Ш. А. Гегамян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Մխիթարյան Զ. Հ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Գեղամյան Շ. Ա. ; Mkhitaryan Z. H. ; Aroutiounian V. M. ; Geghamyan Sh. A.

Ծածկոյթ:

210-216

Ամփոփում:

Измерены вольт-амперные и шумовые характеристики структур со слоем пористого кремния (пористость 80%) при адсорбции газов аммиака, смеси бутан + пропан, паров этилового спирта, соответственно, при комнатной температуре. Կատարված են ծակոտկեն սիլիցիումի (ծակոտկենությունը 80%) վոլտ-ամպերային և աղմուկային բնութագրերի չափումներ էթիլ սպիրտի, ամոնիակի և բութան ու պրոպան խառնուրդի ադսորբված մոլեկուլների միջավայրերում: Measurements of current-voltage characteristics and low-frequency noise of structures with a porous silicon layer were carried out in the ammonia, butane + propane mixture, and spirit (ethyl alcohol) environments. Porosity of silicon was equal to 80%.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2011-05-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան