Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2011

Հատոր:

46

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Effect of interdiffusion on the band structure and absorption coefficient of a one-dimensional semiconductor superlattice

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

124-132

Ամփոփում:

Изучено влияние взаимной диффузии атомов Al и Ga на ограничивающий потенциал, зонную структуру и коэффициент межзонного поглощения в одномерной сверхрешетке, состоящей из квантовых ям GaAs/Ga1-xAlxAs, с изначально прямоугольным ограничивающим потенциалом в рамках модели модифицированного потенциала Вуда–Саксона. The effect of interdiffusion of Al and Ga atoms on the confining potential, band structure and absorption coefficient of electromagnetic radiation of a one-dimensional superlattice, composed of GaAs/Ga1-xAlxAs quantum wells with the initially rectangular potential profile, is studied in the framework of the modified Wood–Saxon potential model.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2011-03-03

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134310

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան