Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Сенсор метана на основе наноструктуры SnO2/In2O3/TiO2
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Radiophysics
Չվերահսկուող բանալի բառեր:
Ալեքսանյան Մ. Ս. ; Aleksanyan M. S.
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
В системе SnO2/In2O3/TiO2 изготовлены две группы образцов с разными концентрациями составляющих веществ. В первой группе использован TiO2 со структурой рутила, во второй – анатаза. Из полученных смесей были осаждены тонкие пленки (до 50 нм толщины). SnO2/In2O3/TiO2 համակարգում պատրաստվել են երկու խումբ նմուշներ` բաղադրիչ նյութերի տարբեր կոնցենտրացիաներով: Առաջին խմբում TiO2-ը վերցվել է ռութիլի բյուրեղային ցանցով, երկրորդ խմբում` անատազի: Ստացված բաղադրություններից նստեցվել են բարակ (մինչև 50 նմ հաստությամբ) թաղաթներ: Two groups of samples in In2O3–SnO2–TiO2 system with different concentrations of components were prepared. In the first group of samples TiO2 has rutile crystal lattice and in the second group it has anatase crystal lattice. The thin films (up to 50 nm) were deposited using obtained compounds.