Зависимость ширины линии D1 поглощения цезия от толщины столба атомарных паров атомов

Ցեզիումի կլանման D1 գծի լայնության կախվածությունն ատոմական գոլորշիների սյան հաստությունից; Dependence of the cesium absorption D1 linewidth on the thickness of atomic vapor column

А. Д. Саргсян ; Д. Г. Саркисян ; Е. Пашаян-Леруа ; К. Леруа ; П. Морошкин ; А. Вейс

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Science ; Physics ; Optics; Light

Սարգսյան Ա. Դ. ; Սարգսյան Դ. Հ. ; Փաշայան-Լեռուա Ե. ; Լեռուա Կ. ; Մորոշկին Պ. ; Վեյս Ա. ; Sargsyan A. D. ; Sarkisyan D. H. ; Pashayan-Leroy Y. ; Leroy C. ; Moroshkin P. ; Weis A.

11-19

Разработана новая наноячейка, имеющая плавное изменение толщины столба паров атомов в интервале L = 350÷5100 нм, которая позволила исследовать поведение резонансного поглощения на линии D1 атомов Cs при изменении толщины от L=λ/2 до L=5λ с шагом λ/2 (λ–резонансная длина волны лазера 894 нм) и при изменении лазерной интенсивности. Մշակված է նոր նանոբջիջ, որը հնարավորություն է տալիս կատարել ատոմական գոլորշիների սյան հաստության սահուն փոփոխում (350÷5000 նմ): Այս նանոբջջի օգնությամբ հետազոտված է Cs-ի D1 ատոմական գծի կլանման վարքը, L = λ/2 − 5λ հաստւթյունների տիրույթում, λ/2 քայլով (լազերի ռեզոնանսային ալիքի երկարությունը 894 նմ է) լազերային ճառագայթման տարբեր ինտենսիվության դեպքում: A new nanocell with a smoothly varying longitudinal thickness of the atomic vapor layer L in the range of 350 ÷ 5100 nm allowing to study the resonant absorption of D1 line of Cs atoms for thicknesses changing from L = λ/2 to L = 5λ with the step of λ/2 (λ = 894 nm is the resonant laser wavelength) and for different intensities is developed.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան