Вольт-амперные характеристики структур со слоем пористого кремния при адсорбции моноокиси углерода

Ծակոտկեն սիլիցիումի շերտ ունեցող կառուցվածքների վոլտ-ամպերային բնութագրերը CO-ի ադսորբցիայի ժամանակ; Current-voltage characteristics of structures with a porous silicon layer at the adsorption of carbon monoxide

З. О. Мхитарян ; А. А. Шатверян ; В. М. Арутюнян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Radiophysics

Մխիթարյան Զ. Հ. ; Շատվերյան Ա. Ա. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Mkhitaryan Z. H. ; Shatveryan A. A. ; Aroutiounian V. M.

236-241

Измерены вольт-амперные характеристики структур со слоем пористого кремния, пористость которого равна 73%, при адсорбции газа (моноокиси углерода) при комнатной температуре. Չափված են վոլտ-ամպերային բնութագրերը (ՎԱԲ) ծակոտկեն սիլիցիումի կառուցվածքներում, որտեղ ծակոտկելիությունը հավասար է 73%: Չափումները կատարված են գազային ադսորբցիայի ներքո սենյակային ջերմաստիճանում: Current-voltage characteristics (CVC) of structures with a layer of porous silicon, porosity of which is equal to 73%, are measured at the adsorption of carbon monoxide at room temperature.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան