Օբյեկտ

Վերնագիր: Исследование температурного коэффициента энергии запрещенной зоны полупроводниковых наноструктур CdSe1-xSx

Այլ վերնագիր:

CdSe1-xSx կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքների արգելված գոտու էներգիայի ջերմաստիճանային գործակցի հետազոտումը; Investigation of the temperature coefficient of the forbidden band energy of CdSe1-xSx semiconductor nanostructures

Ծածկույթ:

9-16

Ամփոփում:

Экспериментально и теоретически исследовано влияние размеров сформированных в силикатном стекле нанокристаллов CdSe1-xSx на температурный коэффициент изменения энергии запрещенной зоны полупроводника. Ուսումնասիրված է սիլիկատային ապակում ձևավորված CdSe1-xSx նանոբյուրեղների արգելված գոտու էներգիայի ջերմաստիճանային գործակցի վարքը, կախված նրանցում նանոբյուրեղների չափսերից: The dependence of the band-gap energy temperature coefficient on the average size of CdSe1-xSx nanocrystals embedded in silicate glass, is investigated experimentally and theoretically.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2007-01-09

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:133978

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2007

Հատոր:

vol. 42

Համար:

№ 1

ISSN:

0002-3035

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Mar 6, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

0

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/147268

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն