Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

2006

Հատոր:

41

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Влияние облучения на электрофизические свойства монокристаллов кремния. Радиационная компенсация проводимости

Այլ վերնագիր:

Ճառագայթահարման ազդեցությունը սիլիցիումի բյուրեղների էլեկտրաֆիզիկական հատկությունների վրա։ Էլեկտրահաղորդականության ճառագայթային կոմպենսացիա; Influence of irradiation on the electrophysical properties of silicon single crystals. Radiation compensation of electroconductivity

Ստեղծողը:

В. А. Саакян ; Г. Н. Ерицян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Indexes

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Սահակյան Վ. Ա. ; Երիցյան Հ. Ն. ; Sahakyan V. A. ; Yeritsyan H. N.

Ծածկոյթ:

140-147

Ամփոփում:

Изучено влияние радиационных дефектов на электрофизические свойства монокристаллов кремния. Ուսումնասիրված է ճառագայթային արատների ազդեցությունը սիլիցիումի բյուրեղների էլեկտրաֆիզիկական հատկությունների վրա։ The influence of radiation defects on the physical properties of silicon single crystals are studied.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

2006-03-25

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան