Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2005

Հատոր:

40

Համար:

6

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Особенности образования радиационных дефектов при облучении монокристаллов кремния

Այլ վերնագիր:

Սիլիցիումի միաբյուրեղներում ճառագայթային արատագոյացման առանձնահատկությունները; Features of radiation defect formation in silicon single crystals

Ստեղծողը:

В. А. Саакян ; Г. Н. Ерицян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiation physics ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Սահակյան Վ. Ա. ; Երիցյան Հ. Ն. ; Sahakyan V. A. ; Yeritsyan H. N.

Ծածկույթ:

453-459

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2005-12-20

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան