Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2005

Հատոր:

40

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Вольт-фарадные характеристики SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки

Այլ վերնագիր:

Շոտկիի արգելքով SiC դաշտային տրանզիստորների վոլտ-ֆարադային բնութագրերը; Capacitance-voltage characteristics of Schottky-barrier SiC field-effect transistors

Ստեղծողը:

В. В. Буниатян ; В. М. Арутюнян ; Л. А. Микаелян ; Ваз. В. Буниатян ; П. Сукиасян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Բունիաթյան Վ. Վ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Միքայելյան Լ. Ա. ; Բունիաթյան Վազ. Վ. ; Սուքիասյան Պ. ; Buniatyan V. V. ; Aroutiounian V. M. ; Mikaelyan L. A. ; Buniatyan Vaz. V. ; Soukiassian P.

Ծածկույթ:

133-139

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2005-03-25

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան