Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2005

Volume:

40

Number:

2

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Title:

Вольт-фарадные характеристики SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки

Other title:

Շոտկիի արգելքով SiC դաշտային տրանզիստորների վոլտ-ֆարադային բնութագրերը; Capacitance-voltage characteristics of Schottky-barrier SiC field-effect transistors

Creator:

В. В. Буниатян ; В. М. Арутюнян ; Л. А. Микаелян ; Ваз. В. Буниатян ; П. Сукиасян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Radiophysics

Uncontrolled Keywords:

Բունիաթյան Վ. Վ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Միքայելյան Լ. Ա. ; Բունիաթյան Վազ. Վ. ; Սուքիասյան Պ. ; Buniatyan V. V. ; Aroutiounian V. M. ; Mikaelyan L. A. ; Buniatyan Vaz. V. ; Soukiassian P.

Coverage:

133-139

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2005-03-25

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան