Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2002

Volume:

37

Number:

5

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Title:

Влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в полупроводниках типа АIIIВv в условиях слабого легирования и слабой компенсации

Other title:

Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունն АIIIВv տիպի թույլ լեգիրված և թույլ համակշռված կիսահաղորդչի հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա; Influence of a coulomb gap on the fine structure of the fundamental absorption edge in low-doped and low-compensated АIIIВv semiconductors

Creator:

С. Л. Арутюнян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Uncontrolled Keywords:

Հարությունյան Ս. Լ. ; Haroutunian S. L.

Coverage:

297-302

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2002-09-16

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան