Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2002

Հատոր:

37

Համար:

5

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Влияние кулоновской щели на тонкую структуру края фундаментального поглощения в полупроводниках типа АIIIВv в условиях слабого легирования и слабой компенсации

Այլ վերնագիր:

Կուլոնյան ճեղքի ազդեցությունն АIIIВv տիպի թույլ լեգիրված և թույլ համակշռված կիսահաղորդչի հիմնարար կլանման եզրի նուրբ կառուցվածքի վրա; Influence of a coulomb gap on the fine structure of the fundamental absorption edge in low-doped and low-compensated АIIIВv semiconductors

Ստեղծողը:

С. Л. Арутюнян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Հարությունյան Ս. Լ. ; Haroutunian S. L.

Ծածկույթ:

297-302

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2002-09-16

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան