Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1998

Հատոր:

33

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Фотоэлектрические свойства примесного фотоприемника из Si < Zn >

Այլ վերնագիր:

Si < Zn > -ից պատրաստված խառնուրդային ֆոտոընդունիչի ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectrical properties of impurity photodiode made of Si < Zn >

Ստեղծողը:

Ф. В. Гаспарян ; В. М. Арутюнян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Գասպարյան Ֆ. Վ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Gasparyan F. V. ; Aroutiounian V. M.

Ծածկույթ:

132-140

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

1998-03-25

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան