Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

1998

Հատոր:

33

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Межзонное поглощение света в полупроводнике с узкой запрещенной зоной в квантующем магнитном поле

Այլ վերնագիր:

Interband light absorption in semiconductors with narrow forbidden band in a quantizing magnetic field; Լույսի միջգոտիական կլանումը նեղ արգելված գոտիով կիսահաղորդիչներում քվանտացնող մագնիսական դաշտում

Ստեղծողը:

А. П. Джотян ; Б. Г. Погосян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Electricity and magnetism ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Djotyan A. P. ; Poghosyan B. G. ; Ջոթյան Ա. Պ. ; Պողոսյան Բ. Ժ.

Ծածկոյթ:

64-69

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

1998-02-20

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան