Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

1995

Հատոր:

30

Համար:

5

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Поглощение света в полупроводнике с дислокациями при непрямых межзонных переходах

Այլ վերնագիր:

Լույսի կլանումը դիսլոկացիաներ պարունակող կիսահաղորդչում ոչ ուղիղ միջգոտիական անցումների դեպքում; Light absorption in a semiconductor, containing dislocations, in nondirect interband transitions

Ստեղծողը:

А. А. Киракосян ; М. К. Кумашян ; К. А. Мхоян ; А. А. Саркисян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Optics; Light ; Electricity and magnetism ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Կիրակոսյան Ա. Ա. ; Ղումաշյան Մ. Ղ. ; Մխոյան Կ. Ա. ; Սարգսյան Հ. Ա. ; Kirakosian A. A. ; Koumashian M. K. ; Mkhoian K. A. ; Sargsian H. A.

Ծածկոյթ:

208-216

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

1995-09-16

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան