Энергетическое распределение неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах с КРС - Համահայկական թվանշային գրադարան

Անցիր հիմնական ընտրացանկին
Անցիր փնտրման շարժիչին
Անցիր բովանդակությանը
Անցիր ներքևի տողատակին

Энергетическое распределение неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах с КРС

Ներբեռնել

Վերնագիր: Энергетическое распределение неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах с КРС

Ստեղծողը:

А. Г. Алексанян ; Ал. Г. Алексанян ; Г. С. Никогосян

Տեսակ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Այլ վերնագիր:

Անհավասարակշիռ լիցքի կրողների էներգետիկ բաշխումը ՔՉՇ-ով կիսահաղորդչային տարակառուցվածքներում; Energy distribution of nonequilibrium charge carriers in semiconductor heterostructures with QWS

Ծածկույթ:

Հրատարակիչ:

Հայաստանի ԳԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

Ձևաչափ:

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:133083

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Science Physics Physics of Semiconductors Radiophysics Ալեքսանյան Ա. Գ. Ալեքսանյան Ալ. Գ. Նիկողոսյան Հ. Ս. Aleksanyan A. G. Aleksanyan Al. G. Nikogosyan G. S.

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Digital Library > Հոդվածներ

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Jun 21, 2022

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

1

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/146265

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրատարակության անուն	Ամսաթիվ
Энергетическое распределение неравновесных носителей тока в полупроводниковых гетероструктурах с КРС	Jun 21, 2022

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

К вопросу резонансного туннелирования в полупроводниковых гетеропереходах с участием фотона

А. Г. Алексанян Ал. Г. Алексанян Г. С. Никогосян

Հոդված

Эффект насыщения примесного поглощения в полупроводниковых гетероструктурах с квантово-размерными слоями (КРС)

А. Г. Алексанян Ал. Г. Алексанян Г. С. Никогосян

Հոդված

Поверхностный слой моттовских экситонов в сильном магнитном поле

А. Г. Алексанян Ал. Г. Алексанян Г. С. Никогосян

Հոդված

Релаксационные процессы в полупроводниковых гетероструктурах с квантово-размерными слоями

А. Г. Алексанян Ал. Г. Алексанян Г. С. Никогосян

Հոդված

Нелинейное поглощение света в области экситонного резонанса в полупроводниковой гетероструктуре с квантовыми размерными слоями (МГ КРС)

А. Г. Алексанян Ал. Г. Алексанян Г. С. Никогосян

Հոդված

О механизме роста силы оптических переходов в квантовых точках Ge, внедренных в матрицу Si

А. Р. Мкртчян Ал. Г. Алексанян К. С. Арамян А. А. Алексанян

Հոդված

Вынужденное комбинационное рассеяние на внутризонных переходах в многослойной размерно-квантованной полупроводниковой структуре в квантующем магнитном поле

А. Г. Алексанян А. С. Еремян

Հոդված

Определение некоторых параметров базы полупроводникового диода из измерений импеданса диода при произвольных уровнях инжекции

А. Г. Алексанян Н. С. Арамян Р. К. Казарян

Հոդված

Ավելին

Կապի մանրամասներ

Հասցե

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Հեռախոս

(+374) 10 524750

Էլ․ փոստ

info@flib.sci.am

Այցելեք մեզ։

http://www.flib.sci.am

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն