Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

1990

Volume:

25

Number:

1

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Title:

Определение некоторых параметров базы полупроводникового диода из измерений импеданса диода при произвольных уровнях инжекции

Other title:

Կիսահաղորդչային դիոդի բազայի մի քանի պարամետրերի որոշումը կամայական ինժեկցիայի ռեժիմում դիոդի իմպեդանսի չափումներից; Determination of some parameters of semiconductor diode base from measurements of diode impedance at arbitrary injection levels

Creator:

А. Г. Алексанян ; Н. С. Арамян ; Р. К. Казарян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Uncontrolled Keywords:

Ալեքսանյան Ա. Գ. ; Արամյան Ն. Ս. ; Ղազարյան Ռ. Ղ. ; Aleksanyan A. G. ; Aramyan N. S. ; Kazaryan R. K.

Coverage:

36-42

Publisher:

ՀԽՍՀ ԳԱ հրատ.

Date created:

1990-01-09

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան