Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

1990

Հատոր:

25

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Определение некоторых параметров базы полупроводникового диода из измерений импеданса диода при произвольных уровнях инжекции

Այլ վերնագիր:

Կիսահաղորդչային դիոդի բազայի մի քանի պարամետրերի որոշումը կամայական ինժեկցիայի ռեժիմում դիոդի իմպեդանսի չափումներից; Determination of some parameters of semiconductor diode base from measurements of diode impedance at arbitrary injection levels

Ստեղծողը:

А. Г. Алексанян ; Н. С. Арамян ; Р. К. Казарян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Ալեքսանյան Ա. Գ. ; Արամյան Ն. Ս. ; Ղազարյան Ռ. Ղ. ; Aleksanyan A. G. ; Aramyan N. S. ; Kazaryan R. K.

Ծածկոյթ:

36-42

Հրատարակիչ:

ՀԽՍՀ ԳԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

1990-01-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան