Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1987

Հատոր:

22

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Механизм возникновения участка отрицательной дифференциальной проводимости N-типа в локально деформированных германиевых мелких p-n-переходах и диодах Шоттки

Այլ վերնագիր:

Լոկալ դեֆորմացված գերմանիումային ոչ խորը p-n-անցումներում և Շոտտկի-ի դիոդներում N-տիպի բացասական դիֆերենցիալ հաղորդականության առաջացման մեխանիզմը; The mechanism of rise of N-type negative differential conductivity in locally deformed germanium shallow p-n junctions and Schottky diodes

Ստեղծողը:

М. Г. Акопян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Հակոբյան Մ. Գ. ; Hakopyan M. G.

Ծածկույթ:

202-209

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1987-07-22

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան