Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1986

Հատոր:

21

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

О природе центров поглощения 1,0 эВ в облученных кристаллах GaAs

Այլ վերնագիր:

Ճառագայթված GaAs բյուրեղներում 1,0 էՎ կլանման կենտրոնների բնույթը; On the nature of absorption centers in irradiated GaAs crystals

Ստեղծողը:

Е. Ю. Брайловский ; Н. Е. Григорян ; Н. Х. Памбухчян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiation physics ; Optics; Light ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Բրայլովսկի Ե. Յու. ; Գրիգորյան Ն. Ե. ; Փամբուխչյան Ն. Խ. ; Brajlovskij E. Yu. ; Grigoryan N. E. ; Pambukhchyan N. H.

Ծածկույթ:

145-149

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1986-05-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան