Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

1985

Volume:

20

Number:

1

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Title:

О механизме образования поверхностных состояний в структурах диэлектрик-полупроводник, облученных короткопробежными ионами

Other title:

Կարճ վազքի երկարություն ունեցող իոններով ճառագայթված դիէլեկտրիկ-կիսահաղորդիչ համակարգի մակերևույթային վիճակների առաջացման մեխանիզմի մասին; On the mechanism of interface states formation in dielectric-semiconductor structures irradiated with short-range ions

Creator:

А. А. Саакян ; Г. Н. Ерицян ; А. С. Оганесян ; В. Н. Мордкович

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Radiation physics ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Uncontrolled Keywords:

Սահակյան Ա. Ա. ; Երիցյան Հ. Ն. ; Հովհաննիսյան Ա. Ս. ; Մորդկովիչ Վ. Ն. ; Sahakyan A. A. ; Yeritsyan G. N. ; Hovanesyan A. S. ; Morgkovich V. N.

Coverage:

47-49

Publisher:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Date created:

1985-01-09

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան