Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1985

Հատոր:

20

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

О механизме образования поверхностных состояний в структурах диэлектрик-полупроводник, облученных короткопробежными ионами

Այլ վերնագիր:

Կարճ վազքի երկարություն ունեցող իոններով ճառագայթված դիէլեկտրիկ-կիսահաղորդիչ համակարգի մակերևույթային վիճակների առաջացման մեխանիզմի մասին; On the mechanism of interface states formation in dielectric-semiconductor structures irradiated with short-range ions

Ստեղծողը:

А. А. Саакян ; Г. Н. Ерицян ; А. С. Оганесян ; В. Н. Мордкович

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiation physics ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Սահակյան Ա. Ա. ; Երիցյան Հ. Ն. ; Հովհաննիսյան Ա. Ս. ; Մորդկովիչ Վ. Ն. ; Sahakyan A. A. ; Yeritsyan G. N. ; Hovanesyan A. S. ; Morgkovich V. N.

Ծածկույթ:

47-49

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1985-01-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան