Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1983

Հատոր:

18

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Фотоэлектрические свойства кристаллов GaP и InP, облученных быстрыми электронами

Այլ վերնագիր:

Արագ էլեկտրոններով ճառագայթված GaP և InP բյուրեղների ֆոտոէլեկտրական հատկությունները; Photoelectric properties of GaP and InP crystals irradiated with fast electrons

Ստեղծողը:

Е. Ю. Брайловский ; Н. Е. Григорян ; Г. Н. Ерицян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Բրայլովսկի Ե. Յու. ; Գրիգորյան Ն. Ե. ; Երիցյան Հ. Ն. ; Brailovskij E. Yu. ; Grigoryan N. E. ; Eritsyan G. N.

Ծածկույթ:

235-239

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1983-07-22

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան