Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1981

Հատոր:

16

Համար:

5

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Поперечная эффективная масса поверхностной подзоны в полупроводниках с узкой запрещенной зоной

Այլ վերնագիր:

Մակերևույթային ենթագոտու լայնական էֆեկտիվ մասսան նեղ արգելված գոտի ունեցող կիսահաղորդիչներում; Transverse effective mass of surface subband in narrow gap semiconductors

Ստեղծողը:

З. А. Касаманян ; В. М. Гаспарян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Molecular Physics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Կասամանյան Զ. Հ. ; Գասպարյան Վ. Մ. ; Kasamanian Z. H. ; Gasparian V. M.

Ծածկույթ:

402-405

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1981-09-16

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան