Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1980

Հատոր:

15

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Импеданс p+-n-n+ - структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами

Այլ վերնագիր:

Կրկնակի լիցքավորված կենտրոններով կոմպենսացված p+-n-n+ - կիսահաղորդչային կառուցվածքների իմպեդանսը; Impedance of p+-n-n+ - structures based on semiconductors compensated by doubly ionized centres

Ստեղծողը:

В. М. Арутюнян ; Ф. В. Гаспарян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Հարությունյան Վ. Մ. ; Գասպարյան Ֆ. Վ. ; Harutyunyan V. M. ; Gasparyan F. V.

Ծածկույթ:

274-279

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1980-07-22

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան