Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

1980

Volume:

15

Number:

4

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Title:

Импеданс p+-n-n+ - структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами

Other title:

Կրկնակի լիցքավորված կենտրոններով կոմպենսացված p+-n-n+ - կիսահաղորդչային կառուցվածքների իմպեդանսը; Impedance of p+-n-n+ - structures based on semiconductors compensated by doubly ionized centres

Creator:

В. М. Арутюнян ; Ф. В. Гаспарян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Uncontrolled Keywords:

Հարությունյան Վ. Մ. ; Գասպարյան Ֆ. Վ. ; Harutyunyan V. M. ; Gasparyan F. V.

Coverage:

274-279

Publisher:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Date created:

1980-07-22

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան