Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1978

Հատոր:

13

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

О возможности использования диодных структур на основе аморфных полупроводников как микроиндуктивностей с большой величиной L

Այլ վերնագիր:

Ամորֆ կիսահաղորդիչների հիման վրա ստեղծված դիոդային կառուցվածքները որպես մեծ արժեքի L միկրոինդուկտիվություն օգտագործելու հնարավորության մասին; On the possibility of using the diode structures based on amorphous semiconductors as microinductances with large L magnitudes

Ստեղծողը:

С. А. Алтунян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Ալթունյան Ս. Ա. ; Altunyan S. A.

Ծածկույթ:

309-313

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1978-07-22

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան