Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

1978

Հատոր:

13

Համար:

2

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Влияние полос роста на дефектообразование в бездислокационном кремнии в результате высокотемпературных технологических операций

Այլ վերնագիր:

Բարձր ջերմաստիճանային տեխնոլոգիական գործողությունների հետևանքով աճի շերտերի ազդեցությունը դիսլոկացիաներից ազատ սիլիցիումի մեջ արատների առաջացման վրա; The influence of growth-band on defect formation in dislocation-free silicon as a result of high temperature treatments

Ստեղծողը:

С. А. Шабоян ; Н. А. Роганян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Շաբոյան Ս. Ա. ; Ռոգանյան Ն. Ա. ; Shaboyan S. A. ; Roganyan N. A.

Ծածկոյթ:

133-135

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիւը:

1978-03-25

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան