Խորացված որոնում ?

Օբյեկտ

Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны

Ներբեռնել

Վերնագիր: Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны

Ստեղծողը:

В. М. Арутюнян ; Ф. В. Гаспарян

Տեսակ:

Հոդված

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1977

Հատոր:

vol. 12

Համար:

№ 2

Այլ վերնագիր:

Լուսավորման ազդեցությունը արգելման շերտի վերին կեսում գտնվող ակցեպտորներով կոմպենսացված կիսահաղորդչային S-դիոդների վրա; Influence of light on S-diodes mode of a semiconductor compensated with acceptors in the upper half of forbidden gap

Ծածկույթ:

123-128

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

1977-04-11

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:131942

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Technology Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering Հարությունյան Վ. Մ. Գասպարյան Ֆ. Վ. Arutunyan V. M. Gasparyan F. V.

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Jun 21, 2022

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

1

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/145008

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны Jun 21, 2022

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

ТЕРМО-ЭДС НЕОДНОРОДНО-ЛЕГИРОВАННОГО р-п ПЕРЕХОДА

Ф. В. Гаспарян В. М. Арутюнян В. В. Буниатян

Հոդված

Термо-ЭДС неоднородно-легированного р-п перехода

Ф. В. Гаспарян В. М. Арутюнян В. В. Буниатян

Հոդված

Малошумящий высокочувствительный ИК–радиометр

Ю. А. Абрамян К. Н. Кочарян С. Г. Мартиросян З. Н. Адамян В. М. Арутюнян Ф. В. Гаспарян

Հոդված

Влияние ударной ионизации глубоких уровней на среднюю по времени вольт-амперную характеристику диода Ганна

В. М. Арутюнян

Հոդված

К теории доменной электрической неустойчивости в двухдолинных полупроводниках

В. М. Арутюнян А. Г. Варосян

Հոդված

Синусоидальное поле в дисперсной системе с эллипсоидальными включениями малой концентрации

М. А. Карапетян В. В. Арутюнян В. А. Григорян

Հոդված

Перераспределение постоянного поля в дисперсной системе с эллипсоидальными включениями малой концентрации

М. А. Карапетян В. А. Григорян В. В. Арутюнян

Հոդված

Характеристики оптически управляемых линий передач и фильтров на основе высокотемпературных сверхпроводников

В. М. Арутюнян В. В. Буниатян Ваз. В. Буниатян А. Г. Акопян

Հոդված
Ավելին

Կապի մանրամասներ

Հասցե

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Հեռախոս

(+374) 10 524750

Էլ․ փոստ

info@flib.sci.am

Այցելեք մեզ։

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն