Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны - Համահայկական թվանշային գրադարան

Անցիր հիմնական ընտրացանկին
Անցիր փնտրման շարժիչին
Անցիր բովանդակությանը
Անցիր ներքևի տողատակին

Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны

Ներբեռնել

Վերնագիր: Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны

Ստեղծողը:

В. М. Арутюнян ; Ф. В. Гаспарян

Տեսակ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

Հատոր:

Համար:

Այլ վերնագիր:

Լուսավորման ազդեցությունը արգելման շերտի վերին կեսում գտնվող ակցեպտորներով կոմպենսացված կիսահաղորդչային S-դիոդների վրա; Influence of light on S-diodes mode of a semiconductor compensated with acceptors in the upper half of forbidden gap

Ծածկույթ:

Հրատարակիչ:

Ստեղծման ամսաթիվը:

Ձևաչափ:

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:131942

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Technology Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering Հարությունյան Վ. Մ. Գասպարյան Ֆ. Վ. Arutunyan V. M. Gasparyan F. V.

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Digital Library > Հոդվածներ

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Mar 6, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

0

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/145008

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրատարակության անուն	Ամսաթիվ
Влияние освещения на S диоды, изготовленные из полупроводника, компенсированного акцепторами, расположенными в верхней половине запрещенной зоны	Mar 6, 2021

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Термо-ЭДС неоднородно-легированного р-п перехода

Ф. В. Гаспарян В. М. Арутюнян В. В. Буниатян

article

ТЕРМО-ЭДС НЕОДНОРОДНО-ЛЕГИРОВАННОГО р-п ПЕРЕХОДА

Ф. В. Гаспарян В. М. Арутюнян В. В. Буниатян

article

Малошумящий высокочувствительный ИК–радиометр

Ю. А. Абрамян К. Н. Кочарян С. Г. Мартиросян З. Н. Адамян В. М. Арутюнян Ф. В. Гаспарян

article

Влияние ударной ионизации глубоких уровней на среднюю по времени вольт-амперную характеристику диода Ганна

В. М. Арутюнян

article

К теории доменной электрической неустойчивости в двухдолинных полупроводниках

В. М. Арутюнян А. Г. Варосян

article

Перераспределение постоянного поля в дисперсной системе с эллипсоидальными включениями малой концентрации

М. А. Карапетян В. А. Григорян В. В. Арутюнян

article

Синусоидальное поле в дисперсной системе с эллипсоидальными включениями малой концентрации

М. А. Карапетян В. В. Арутюнян В. А. Григорян

article

Характеристики оптически управляемых линий передач и фильтров на основе высокотемпературных сверхпроводников

В. М. Арутюнян В. В. Буниатян Ваз. В. Буниатян А. Г. Акопян

article

Ավելին

Կապի մանրամասներ

Հասցե

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Հեռախոս

(+374) 10 524750

Էլ․ փոստ

info@flib.sci.am

Այցելեք մեզ։

http://www.flib.sci.am

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն